| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
КД202В |
|
Диффузщионный диод 100В, 5А, 1.2кГц
|
|
2 083
|
25.50
|
|
|
|
|
КД202В |
|
Диффузщионный диод 100В, 5А, 1.2кГц
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
|
КД202В |
|
Диффузщионный диод 100В, 5А, 1.2кГц
|
СЗТП
|
80
|
81.60
|
|
|
|
|
КД202В |
|
Диффузщионный диод 100В, 5А, 1.2кГц
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
|
КД202В |
|
Диффузщионный диод 100В, 5А, 1.2кГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД202В |
|
Диффузщионный диод 100В, 5А, 1.2кГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КД202В |
|
Диффузщионный диод 100В, 5А, 1.2кГц
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
|
3 655
|
28.00
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
МИНСК
|
13 399
|
32.00
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
|
937
|
28.00
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
30.60
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
БРЯНСК
|
990
|
30.00
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ЭЛЬТАВ
|
4 680
|
12.00
|
|
|
|
|
МП42Б |
|
Транзистор германиевый сплавный p-n-p переключательный низкочастотный маломощный
|
|
748
|
39.60
|
|
|
|
|
МП42Б |
|
Транзистор германиевый сплавный p-n-p переключательный низкочастотный маломощный
|
ПЛАНЕТА
|
|
|
|
|
|
|
МП42Б |
|
Транзистор германиевый сплавный p-n-p переключательный низкочастотный маломощный
|
МОСКВА
|
|
|
|
|
|
|
МП42Б |
|
Транзистор германиевый сплавный p-n-p переключательный низкочастотный маломощный
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
|
П605А |
|
|
|
5
|
24.64
|
|
|
|
|
П605А |
|
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
|
П605А |
|
|
РИГА
|
|
|
|
Версия для печати
