КСО-5Г-500В-3300ПФ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BOURNS
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BARONS
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BI TECHNOLOGIES
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``			56.00
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BOURNS
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	Bourns Inc
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	КИТАЙ
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BOCHEN	4 713	20.98
IRF7507TR		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7507TR				46.80
IRF7507TR		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7507TR		INFINEON
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	MURATA
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	CHINA
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	MUR	704	21.86
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812			24.60
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	MURATA
LQH43MN1R0M03		MURATA
LQH43MN1R0M03			39	36.80
КСО-5Г-500В-2700 ПФ 10%