|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
SS9018 |
|
NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz
|
SAMSUNG
|
1
|
1.83
|
|
|
|
SS9018 |
|
NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz
|
|
|
2.80
|
|
|
|
SS9018 |
|
NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz
|
|
|
2.80
|
|
|
|
TDA1220B |
|
AM/FM pадиопpиемник, Ucc=3-8V
|
|
2
|
72.00
|
|
|
|
TDA1220B |
|
AM/FM pадиопpиемник, Ucc=3-8V
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA1220B |
|
AM/FM pадиопpиемник, Ucc=3-8V
|
1
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
311
|
48.45
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
662
|
31.50
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
МР20-2 СБ-12А ЧГ |
|
|
|
11 600
|
5.10
|
|
|
|
МР20-2 СБ-12А ЧГ |
|
|
|
11 600
|
5.10
|
|
|
|
МР20-2 СБ-12А ЧР |
|
|
|
5 200
|
5.10
|
|
|
|
МР20-2 СБ-12А ЧР |
|
|
|
5 200
|
5.10
|
|