DS1306N+
|
Версия для печати
| Корпус | 16-PDIP |
| Корпус (размер) | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Напряжение питания, батареи | 2 V ~ 5.5 V |
| Напряжение питания | 2 V ~ 5.5 V |
| Интерфейс подключения | SPI |
| Формат даты | YY-MM-DD-dd |
| Формат времени | HH:MM:SS (12/24 hr) |
| Объем памяти | 96B |
| Возможности | Alarm, Leap Year, NVSRAM, Square Wave Output, Trickle-Charger |
| Тип | Clock/Calendar |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MFR200JT-73- 0R24 |
|
|
||||||
| MFR200JT-73- 0R24 | YAGEO |
|
|
|||||
 |
MUR1100E |
|
UFAST диод 1А 1000В | VISHAY |
|
|
||
|
|
MUR1100E |
|
UFAST диод 1А 1000В | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
MUR1100E |
|
UFAST диод 1А 1000В |
|
26.88 | |||
|
|
MUR1100E |
|
UFAST диод 1А 1000В | MOTOROLA | 20 |
|
||
|
|
MUR1100E |
|
UFAST диод 1А 1000В | ON SEMICONDUCTOR | 16 |
|
||
|
|
MUR1100E |
|
UFAST диод 1А 1000В | ONSEMI | 314 | 3.32 | ||
| RC0805FR-07511KL | YAGEO | 16 653 |
0.90 >1000 шт. 0.18 |
|||||
| RC0805FR-07511KL |
|
|
||||||
| RT0805FRE0710RL | YAGEO | 2 663 | 1.63 | |||||
| RT0805FRE0710RL |
|
|
||||||
| STTH110 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V 1A | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||
| STTH110 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V 1A | ST MICROELECTRONICS SEMI | 2 438 |
|
|||
| STTH110 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V 1A | STMicroelectronics |
|
|
|||
| STTH110 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V 1A |
|
|
