Версия для печати
Технические характеристики 1N4756A

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	47V
Current - Reverse Leakage @ Vr	5µA @ 1V
Допустимые отклонения емкости	±5%
Power - Max	1W
Impedance (Max) (Zzt)	80 Ohm
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	DO-204AL, DO-41, Axial
Корпус	DO-41
Рабочая температура	-65°C ~ 200°C
Tolerance	±5%

1N4756A (Стабилитроны) 1 Watt DO-41 Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Regulators Производитель: Synsemi Semiconductor //www.synsemi.com 1N4756A datasheet 277.11Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Стабилитроны

 » 

Стабилитроны - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BCR8PM			MITSUBISHI
		BCR8PM			MIT
		BCR8PM
		BQ24721CRHBR			Texas Instruments
		BQ24721CRHBR			TEXAS INSTRUMENTS
		BQ24721CRHBR					1 431.60
		BTB12-600BWRG		Симистор 12A 600V 50mA	ST MICROELECTRONICS	395	71.58
		BTB12-600BWRG		Симистор 12A 600V 50mA
		BTB12-600BWRG		Симистор 12A 600V 50mA	STMicroelectronics
		BTB12-600BWRG		Симистор 12A 600V 50mA	ST MICROELECTRONICS SEMI	206
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	TSC
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	ST MICROELECTRONICS
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	LITE ON OPTOELECTRONICS
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	MICRO SEMICONDUCTOR
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	DC COMPONENTS
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	FAIR
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	FAIRCHILD
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	FAIRCHILD	1 696
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	LITE ON OPTOELECTRONICS
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	Bourns Inc
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	Littelfuse Inc
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	Fairchild Semiconductor
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	MICROSEMI CORP	24
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	LITTELFUSE	1 221
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	LITTELFUSE	12 131	17.50
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	LTL
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	КИТАЙ
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	KINGTRONICS
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP	628
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	ONS
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	TAIWAN SEMICONDUCTOR	1 863	6.30
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A		16 460	3.41
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	ONS-FAIR
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	BRIGHTKING
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	JJM	2	8.92
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	BOURNS
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	YANGJIE (YJ)
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	YOUTAI	4 956	2.43
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	HOTTECH	17 229	6.10
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	ONSEMI
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	YJ	27 410	3.80
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	VISHAY
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	YANGJIE	2 400	5 503.30
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	UMW
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	1
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	KLS	8	7.07
		SMBJ24A		Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A	SUNTAN	252	6.05
		UPC8211TK-E2-A		Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...			131.32
		UPC8211TK-E2-A		Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...	NEC
		UPC8211TK-E2-A		Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...	RENESAS
		UPC8211TK-E2-A		Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...	NEC ELECTRONICS
		UPC8211TK-E2-A		Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...	NEC ELECTRONICS	10
		UPC8211TK-E2-A		Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...	CEL
		UPC8211TK-E2-A		Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...	ЯПОНИЯ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"