| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
КДФ101А |
|
Фотодиод структуры р-n в пластмассовом корпусе полуцилиндрической формы с жесткими ...
|
|
1 743
|
5.25
|
|
|
|
|
КДФ101А |
|
Фотодиод структуры р-n в пластмассовом корпусе полуцилиндрической формы с жесткими ...
|
ОРЕЛ
|
2 043
|
6.00
|
|
|
|
|
КДФ101А |
|
Фотодиод структуры р-n в пластмассовом корпусе полуцилиндрической формы с жесткими ...
|
ОРЁЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
|
600
|
19.25
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
976
|
24.00
|
|
|
|
|
КТ368А9 |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
|
72.00
|
|
|
|
|
КТ368А9 |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
|
КТ368А9 |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ368А9 |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ368А9 |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
МИКРОФОН SAMSUNG D600/X140/X200 |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
