|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 Ohm @ 1.2A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V |
Power - Max | 2.5W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Корпус | D-Pak |
IRFRC20PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
0.47МКФ 100 (5X11,НЕПОЛЯРН.) | ||||||||
0.47МКФ 50 (4X5)105°C | ||||||||
1МКФ 250 (6.3X11)105°C | ||||||||
UC3844BN | ST MICROELECTRONICS | 542 | 66.30 | |||||
UC3844BN | ON SEMICONDUCTOR | |||||||
UC3844BN | MOTOROLA | |||||||
UC3844BN | 51 | 47.78 | ||||||
UC3844BN | MOTOROLA | |||||||
UC3844BN | ON SEMICONDUCTOR | 8 | ||||||
UC3844BN | ST MICROELECTRONICS SEMI | |||||||
UC3844BN | STMicroelectronics | |||||||
UC3844BN | КИТАЙ | |||||||
UC3844BN | ONS | |||||||
UC3844BN | ST1 | |||||||
UC3844BN | ST MICROELECTRO | |||||||
ПОДСТАВКА ДЛЯ ПАЯЛЬНИКА ТИП15 | Подставка для паяльника тип 15 | 2 131 | 222.14 |
|