IRF7756TR
|
Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
IRF7756TR |
|
166.80
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики IRF7756TR
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Серия | HEXFET® |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 4.3A, 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.3A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1400pF @ 10V |
Power - Max | 1W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Корпус | 8-TSSOP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
 | AM1/4L-0303S-NZ Am1/4l-0303s-nz - dc/dc преобразователь Р В РЎВощностью 0.3В РІС‚, РєРѕСЂРїСѓСЃ: Р В РўвЂР  В»РЎРЏ поверхностного Р В РЎВонтажа Р Р…Р В° печатную плату smd8 672.00 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
 | SР В Р Р‹04-12GWA 7-сегРСВентный С†РСвЂР ЎвЂћРЎР‚РѕРІРѕР№ Р В РЎвЂР  Р…Р ТвЂР В РЎвЂР  С”атор Р РЋР С“ высотой РЎРѓР СвЂР В РЎВвола 10.16Р В РЎВР В РЎВ (0.4 Р В РўвЂР ЎР‹Р в„–Р СВР В Р’В°) Высота РЎРѓР СвЂР В РЎВвола 10.16Р В РЎВР В РЎВ (0.4 Р В РўвЂР ЎР‹Р в„–Р СВР В Р’В°). Легко устанавлРСвЂР  Р†Р В°Р ВµРЎвЂљРЎРѓРЎРЏ Р Р…Р В° печатную плату Р В РЎвЂР В Р’В»... РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |