Версия для печати
Технические характеристики B88069X2250S102

Производитель	EPCOS (SIEMENS MATSUSHITA COMP.)
Количество в упаковке	100 шт.
Вес	2.433 г
Напряжение разряда	230 В
Размер	ф 8 мм
Рабочая температура	-40...90 °C
	2-Electrode-Arrester

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DC COMPONENTS	182 406	1.78
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	FSC
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA		92 544	1.16  >100 шт.   0.58
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DIOTEC	48 516	3.27
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	GALAXY
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	Fairchild Semiconductor
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	1 171	1.57
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	КИТАЙ
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	FAIRCHILD
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	FAIR
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	UTC
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DIOTEC ELECTRONICS CORP.
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	KINGTRON
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	KINGTRONICS
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	FAIRCHILD
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	ONS	14 028	5.45
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	ONS-FAIR
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	ON SEMICONDUCTOR
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	YJ	723 629	1.52  >100 шт.   0.76
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	GALAXY ME	1 430	2.00  >100 шт.   1.00
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DIOTEC ELECTRONICS CORP
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DIOTEC SEMICONDUCTOR AG	1 024
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	YANGJIE	26 400	2.00  >100 шт.   1.00
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	YANGJIE (YJ)
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	HOTTECH	1 892 724	1.88  >100 шт.   0.94
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	JANGJIE
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	WUXI XUYANG
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	UNKNOWN
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	0.00
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	GME	1	3.11
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	JSCJ	288	1.48  >100 шт.   0.74
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	1
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	TRR	67 200	1.32  >500 шт.   0.44
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	JSMICRO	217 927	1.32  >500 шт.   0.44
		B72220S171K101			EPCOS
		B72220S171K101			EPCOS
		B72220S171K101					353.20
		B72220S171K101			TDK EPCOS	2 160	49.59
		B72220S171K101			TDK
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	VISHAY	56	44.75
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А		2 407	24.52
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS SEMI
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	Vishay/Siliconix
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	STMicroelectronics
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	КИТАЙ
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	IR/VISHAY
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	MINOS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	32.13
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	4 384	11.88
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	4-7 НЕДЕЛЬ	612
		СП3-4АМ А 2-12 20% 4.7К			РЕЗИСТОР

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"