|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ICE3B0365J |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
ICE3B0365J |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W
|
|
2
|
216.00
|
|
|
|
ICE3B0365J |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
ICE3B0365J |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W
|
1
|
|
|
|
|
|
TDA7384 |
|
УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x33W, Gv=26dB
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA7384 |
|
УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x33W, Gv=26dB
|
|
|
383.96
|
|
|
|
TDA7384 |
|
УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x33W, Gv=26dB
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
TDA7384 |
|
УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x33W, Gv=26dB
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TDA7384 |
|
УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x33W, Gv=26dB
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
Z0107MNT1G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
Z0107MNT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
Z0107MNT1G |
|
|
|
|
|
|
|
|
ПДУ (РЕМКОМПЛЕКТ) С КЛЕЕМ |
|
|
|
|
|
|