IRF7353D1

Версия для печати

Технические характеристики IRF7353D1

Power - Max	2W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	650pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	32 mOhm @ 5.8A, 10V
FET Feature	Diode (Isolated)
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	FETKY™
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.