BSP100
N-channel enhancement mode trenchmos (tm) transistor
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | TrenchMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2.2A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 6nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 250pF @ 20V |
| Power - Max | 8.3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BSP100 (MOSFET) N-channel enhancement mode TrenchMOS (tm) transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LA7845[N] | SANYO |
|
|
|||||
| LA7845[N] | SAN |
|
|
|||||
 |
 |
STRW5753A |
|
SMPS сх. упpавления, NPN 850V/10A, Po=220W | SANKEN |
|
|
|
|
|
|
STRW5753A |
|
SMPS сх. упpавления, NPN 850V/10A, Po=220W | SK |
|
|
|
|
|
|
STRW5753A |
|
SMPS сх. упpавления, NPN 850V/10A, Po=220W |
|
175.56 | ||
|
|
|
STRW5753A |
|
SMPS сх. упpавления, NPN 850V/10A, Po=220W | КИТАЙ |
|
|
|
 |
STX112 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
||||
|
|
STX112 |
|
54.00 | |||||
|
|
STX112 | STMicroelectronics |
|
|
||||
| TDA2007A | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| TDA2007A |
|
117.32 | ||||||
| TDA2007A | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|||||
| TDA2007A | STMICROELECTR |
|
|
|||||
| TT2206 | SANYO |
|
|
|||||
| TT2206 |
|
191.40 | ||||||
| TT2206 | SAN |
|
|
|||||
| TT2206 | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||||
| TT2206 | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
