BSP100

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BSP100		68.00

Версия для печати

Технические характеристики BSP100

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	250pF @ 20V
Power - Max	8.3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BSP100 (MOSFET)

N-channel enhancement mode TrenchMOS (tm) transistor

Производитель:
NXP

BSP100 datasheet
89 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
LA7845[N]		SANYO
LA7845[N]		SAN
STRW5753A	SMPS сх. упpавления, NPN 850V/10A, Po=220W	SANKEN
STRW5753A	SMPS сх. упpавления, NPN 850V/10A, Po=220W	SK
STRW5753A	SMPS сх. упpавления, NPN 850V/10A, Po=220W			175.56
STRW5753A	SMPS сх. упpавления, NPN 850V/10A, Po=220W	КИТАЙ
STRX6757	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=0W	SANKEN
STRX6757	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=0W	SK
STRX6757	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=0W			371.44
STRX6757	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=0W	КИТАЙ
STX112		ST MICROELECTRONICS
STX112			1	144.00
STX112		STMicroelectronics
TT2206		SANYO
TT2206				191.40
TT2206		SAN
TT2206		ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
TT2206		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)