Версия для печати
Технические характеристики ECAP 10000/80V 3550 LH

Производитель	Yageo Corporation
Количество в упаковке	200 шт.
Вес	77.650 г
Допуск емкости	±20%
Номинальное напряжение	80 В
Ток утечки	3000 мкА
Тангенс угла диэлектрических потерь	0.25
Максимальный ток пульсаций	6.6 А
Шаг выводов	10 мм
Срок службы	2000 Ч
Размер корпуса	ф 35x50
Рабочая температура	-40...85 °C
Код производителя	LH080M10K0BPF-3550
	For General
Емкость	10 мФ
Серия	LH
Корпус (размер)	Snap In
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N3773		Транзистор биполярный большой мощности	ON SEMICONDUCTOR
		2N3773		Транзистор биполярный большой мощности	TSL	8	173.88
		2N3773		Транзистор биполярный большой мощности	UTC
		2N3773		Транзистор биполярный большой мощности			360.00
		2N3773		Транзистор биполярный большой мощности	ON SEMICONDUCTOR
		2N3773		Транзистор биполярный большой мощности	STMicroelectronics
		2N3773		Транзистор биполярный большой мощности	SSO
		2N3773		Транзистор биполярный большой мощности	ST MICROELECTRONICS	8	217.80
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	6 111	5.45
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	12 788	4.27
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	952	3.10
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	2 052	4.20
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...		9 080	1.13
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	63 672	0.75  >1000 шт.   0.15
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	22 400	1.08
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ	4 604	2.20
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
		BD244C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 6A, 65W, >3MHz	ST MICROELECTRONICS
		BD244C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 6A, 65W, >3MHz	MEV
		BD244C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 6A, 65W, >3MHz	BOURNS
		BD244C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 6A, 65W, >3MHz	FAIR
		BD244C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 6A, 65W, >3MHz	ON SEMICONDUCTOR
		BD244C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 6A, 65W, >3MHz		400	28.14
		BD244C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 6A, 65W, >3MHz	FAIRCHILD
		BD244C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 6A, 65W, >3MHz	BOURNS	133
		BD244C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 6A, 65W, >3MHz	FAIRCHILD
		BD244C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 6A, 65W, >3MHz	ON SEMICONDUCTOR
		BD244C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 6A, 65W, >3MHz	ST MICROELECTRONICS SEMI	191
		BD244C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 6A, 65W, >3MHz	STMicroelectronics
		BD244C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 6A, 65W, >3MHz	Fairchild Semiconductor
		BD244C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 6A, 65W, >3MHz	FSC
		BD244C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 6A, 65W, >3MHz	ST1
		BD244C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 6A, 65W, >3MHz	ST MICROELECTRO
		BD244C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 6A, 65W, >3MHz	ONS
		BD244C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 6A, 65W, >3MHz	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		BD244C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 6A, 65W, >3MHz	0.00
		MF-0.25-180 1%		Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический	CHINA
		MF-0.25-180 1%		Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический		3	2.80
		MF-0.25-22К 1%		Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический	CHINA
		MF-0.25-22К 1%		Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический			1.36  >100 шт.   0.68

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"