Версия для печати
Технические характеристики ECAP 22/350V 1320 105C SH

Производитель	Yageo Corporation
Количество в упаковке	200 шт.
Вес	3.794 г
Допуск емкости	±20%
Номинальное напряжение	350 В
Ток утечки	241 мкА
Тангенс угла диэлектрических потерь	0.2
Максимальный ток пульсаций	125 А
Шаг выводов	5 мм
Срок службы	2000 Ч
Размер корпуса	ф 13x20
Рабочая температура	-40...105 °C
Код производителя	SH350M0022B5S-1320
	For General
Емкость	22 мкФ
Серия	SH
Корпус (размер)	Radial
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		11DQ10		Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).	VISHAY
		11DQ10		Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).	INTERNATIONAL RECTIFIER
		11DQ10		Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).	EIC	4 508	11.67
		11DQ10		Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).			28.68
		11DQ10		Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).	Vishay/Semiconductors
		11DQ10		Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).	КИТАЙ
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	VISHAY
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А		4 320	27.14
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS SEMI
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	Vishay/Siliconix
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	STMicroelectronics
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	КИТАЙ
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	IR/VISHAY
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	MINOS	784	38.61
		MF-0.25-390 1%		Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический	CHINA
		MF-0.25-390 1%		Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический		4	2.84
		MF-0.5-100 5%		Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 100Ом, 0.5Вт, 5%	CHINA
		MF-0.5-100 5%		Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 100Ом, 0.5Вт, 5%		8	2.84
		MUR160		Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс	ON SEMICONDUCTOR	400	45.90
		MUR160		Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс	MOTOROLA
		MUR160		Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс	VISHAY
		MUR160		Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс		7 723	3.26
		MUR160		Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс	ONS
		MUR160		Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс	MOTOROLA	4
		MUR160		Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс	ON SEMICONDUCTOR	24
		MUR160		Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс	MCC
		MUR160		Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс	DIOTEC
		MUR160		Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс	LGE	8 800	2.95
		MUR160		Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс	YANGJIE (YJ)
		MUR160		Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс	WUXI XUYANG	5 040	4.30
		MUR160		Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс	KLS
		MUR160		Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс	YJ	17 007	6.51
		MUR160		Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс	1
		MUR160		Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс	SUNTAN
		MUR160		Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс	SUNMATE	3 120	3.35
		MUR160		Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс	HOTTECH	5 280	5.78

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"