Версия для печати
Технические характеристики IRFZ44ES

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 29A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	48A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1360pF @ 25V
Power - Max	110W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

IRFZ44ES (Дискретные сигналы) 60V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRFZ44ES Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFZ44ES datasheet 164.96Kb 10стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIR
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FSC
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAI/QTC
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W		1 000	30.73
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIRCHILD
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIRCHILD
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	Fairchild Semiconductor
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FSC1
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	КИТАЙ
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ON SEMI/FAIRCH
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONSEMICONDUCTOR
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONS
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONS-FAIR
		IRFR3708		Hexfet power mosfets discrete n-channel	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFR3708		Hexfet power mosfets discrete n-channel
		IRFR3708		Hexfet power mosfets discrete n-channel	INFINEON
		IRFZ44E		Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W	INTERNATIONAL RECTIFIER	8	102.00
		IRFZ44E		Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W			105.20
		IRFZ44E		Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFZ44E		Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W	МЕКСИКА
		IRFZ44E		Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W	INFINEON
		UF4001		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=50V, I=1.0A, If=30A, Vf=1V@I=1A	MICRO SEMICONDUCTOR
		UF4001		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=50V, I=1.0A, If=30A, Vf=1V@I=1A	GENERAL INSTRUMENT
		UF4001		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=50V, I=1.0A, If=30A, Vf=1V@I=1A	GENERAL SEMICONDUCTOR
		UF4001		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=50V, I=1.0A, If=30A, Vf=1V@I=1A	SENSITRON
		UF4001		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=50V, I=1.0A, If=30A, Vf=1V@I=1A	DC COMPONENTS
		UF4001		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=50V, I=1.0A, If=30A, Vf=1V@I=1A			3.56
		UF4001		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=50V, I=1.0A, If=30A, Vf=1V@I=1A	GENERAL INSTRUMENT
		UF4001		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=50V, I=1.0A, If=30A, Vf=1V@I=1A	MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		UF4001		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=50V, I=1.0A, If=30A, Vf=1V@I=1A	SENSITRON
		UF4001		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=50V, I=1.0A, If=30A, Vf=1V@I=1A	Fairchild Semiconductor
		UF4001		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=50V, I=1.0A, If=30A, Vf=1V@I=1A	MICROSEMI CORP
		UF4001		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=50V, I=1.0A, If=30A, Vf=1V@I=1A	FAIRCHILD
		UF4007 (1A 1000В)		Диод ультрабыстрый 1000В, 1А, 75нс/500нс	DC COMPONENTS
		UF4007 (1A 1000В)		Диод ультрабыстрый 1000В, 1А, 75нс/500нс

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"