|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 29A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 48A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1360pF @ 25V |
Power - Max | 110W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Корпус | D2PAK |
IRFZ44ES (Дискретные сигналы) 60V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRFZ44ES
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFZ44E | Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W | INTERNATIONAL RECTIFIER | 8 | 102.00 | ||||
IRFZ44E | Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W | 105.20 | ||||||
IRFZ44E | Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRFZ44E | Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W | МЕКСИКА | ||||||
IRFZ44E | Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W | INFINEON | ||||||
MBRS320T3G | ON SEMICONDUCTOR | |||||||
MBRS320T3G | ONS | 800 | 56.09 | |||||
MBRS320T3G | 16 | 52.80 | ||||||
MBRS320T3G | ON SEMICONDUCTOR | 1 032 | ||||||
MF-0.25-15K 1% | Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 15кОм, 1%, 0.25Вт | CHINA | ||||||
MF-0.25-15K 1% | Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 15кОм, 1%, 0.25Вт | 2.80 | ||||||
MF-2-10 1% | ||||||||
MF-2-150K 1% | 8.96 |
|