IRFZ44ES

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFZ44ES		224.00

Версия для печати

Технические характеристики IRFZ44ES

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 29A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	48A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1360pF @ 25V
Power - Max	110W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFZ44ES (Дискретные сигналы)

60V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package

Также в этом файле: IRFZ44ES

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFZ44ES datasheet
164.96Kb
10стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
MBRS320T3G		ON SEMICONDUCTOR
MBRS320T3G		ONS	800	56.09
MBRS320T3G			16	52.80
MBRS320T3G		ON SEMICONDUCTOR	1 032
MF-0.25 150 1%
MF-0.25-15K 1%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 15кОм, 1%, 0.25Вт	CHINA
MF-0.25-15K 1%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 15кОм, 1%, 0.25Вт			2.80
MF-2-10 1%
MF-2-150K 1%				8.96