Версия для печати
Технические характеристики IR21531SPBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Конфигурация	Half Bridge
Тип входа	Self Oscillating
Ток пиковое значение	250mA
Число конфигураций	1
Число выходов	2
Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка)	600V
Напряжение питания	10 V ~ 20 V
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Драйверы MOSFET (внешнее переключение)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	FSC
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	AGILENT TECHNOLOGIES
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	HEWLETT PACKARD
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	VISHAY
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	Lite-On Inc
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	Vishay/Semiconductors
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	Avago Technologies US Inc
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	Fairchild Optoelectronics Group
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	FAIRCHILD	1 174	91.80
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	EVLT
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	EVL	4 474	29.47
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	TEXAS INSTRUMENTS
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	ISO
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	LIT
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	TOSHIBA
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	EVERLIGHT	1	51.55
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	ON SEMI/FAIRCH
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	ONSEMICONDUCTOR
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс		1 522	24.74
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	LITE ON OPTOELECTRONICS
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	LITE-ON
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	TOSHIBA	266	91.80
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	ERL
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	ONS
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	0.00
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	1
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	CT-MICRO
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	EVERLLIGHT
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	NXP
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	400	6.63
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	FAIR
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	PHILIPS
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	31 608	2.99
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)		96 800	1.70  >100 шт.   0.85
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	WTE
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	DIOTEC
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	GALAXY
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	FAIRCHILD	14 586
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	NXP	9 216
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	PHILIPS	626
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	Fairchild Semiconductor
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	DIODES INC.	1 126
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	КИТАЙ
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	UTC
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	MCC
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	NEXPERIA	1 600	1.33
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	ONS-FAIR
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	ONS
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	GALAXY ME
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	PANJIT
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	LRC
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	HOTTECH	6 632	1.97
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	KLS
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	PANJIT
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	SEMTECH	5	3.10
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	SUNTAN
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	WUXI XUYANG	134	2.57
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	YJ	215 231	1.62
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	YANGJIE	122 400	1.40
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	YOUTAI	9 540	2.58
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	JSCJ	125 280	1.46
		CC0805KKX7R8BB105		Керамический ЧИП конденсатор 1мкФ, X7R, 10%, 0805, 25В		32	5.92
		CC0805KKX7R8BB105		Керамический ЧИП конденсатор 1мкФ, X7R, 10%, 0805, 25В	YAGEO	427 689	1.88  >100 шт.   0.94
		CC0805KKX7R8BB105		Керамический ЧИП конденсатор 1мкФ, X7R, 10%, 0805, 25В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		CC0805KKX7R8BB105		Керамический ЧИП конденсатор 1мкФ, X7R, 10%, 0805, 25В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		CC0805KKX7R8BB105		Керамический ЧИП конденсатор 1мкФ, X7R, 10%, 0805, 25В	YAGEO
		CC0805KKX7R8BB105		Керамический ЧИП конденсатор 1мкФ, X7R, 10%, 0805, 25В	СКЛАД
		CD4046BNSR			TEXAS INSTRUMENTS
		CD4046BNSR				4
		CD4046BNSR			TEXAS
		IRFR1018EPBF		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 56A, 110W, 0.0084R, TO252A)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFR1018EPBF		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 56A, 110W, 0.0084R, TO252A)
		IRFR1018EPBF		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 56A, 110W, 0.0084R, TO252A)	INFINEON

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"