IRF6721STR1


Купить IRF6721STR1 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRF6721STR1
Версия для печати

Технические характеристики IRF6721STR1

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияHEXFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.3 mOhm @ 14A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C14A
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1430pF @ 15V
Power - Max2.2W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)DirectFET™ Isometric SQ
КорпусDIRECTFET™ SQ
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    BTS6163D     INFINEON 1 600 206.76 
    BTS6163D     Infineon Technologies Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BTS6163D       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BTS6163D     INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF6721STR1PBF N-channel hexfet power mosfet   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
    IRF6725MTR1     INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
    IRF6725MTR1       Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF6725MTRPBF N-channel hexfet power mosfet   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход