![]() |
|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Current - Average Rectified (Io) | 1A |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 400V |
Diode Type | Standard |
Скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | DO-214AC, SMA |
Корпус | SMA |
GS1x LOW REVERSE LEAKAGE SCHOTTKY DIODE Также в этом файле: GS1G
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
![]() |
BU808DFH |
![]() |
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ... | ST MICROELECTRONICS |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
BU808DFH |
![]() |
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ... |
![]() |
182.40 | ||
![]() |
![]() |
BU808DFH |
![]() |
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ... | ST MICROELECTRONICS SEMI |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
BU808DFH |
![]() |
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ... | ST1 |
![]() |
![]() |
|
HGT1S20N60C3S | FAIR |
![]() |
![]() |
|||||
![]() |
MMBD7000LT1 | ON SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
MMBD7000LT1 | INFINEON |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
MMBD7000LT1 | MOTOROLA |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
MMBD7000LT1 | MOTOROLA | 52 |
![]() |
||||
![]() |
MMBD7000LT1 | ON SEMICONDUCTOR | 3 265 |
![]() |
||||
![]() |
MMBD7000LT1 | Infineon Technologies |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
MMBD7000LT1 | INFINEON | 2 084 |
![]() |
||||
STP8NA50 | SGS |
![]() |
![]() |
|||||
STP8NA50 | ST MICROELECTRONICS |
![]() |
![]() |
|||||
STP8NA50 | SGS THOMSON |
![]() |
![]() |
|||||
UCC2894DR |
![]() |
292.00 | ||||||
UCC2894DR | Texas Instruments |
![]() |
![]() |
|||||
UCC2894DR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 161 |
![]() |
|
Корзина
|