![]() |
|
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 25A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 25A, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 53nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5305pF @ 13V |
Power - Max | 2.5W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SO |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
![]() |
2N7002E |
![]() |
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=60V, Id=0.38A@T=25C, Id=0.245A@T=100C) | VISHAY |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
2N7002E |
![]() |
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=60V, Id=0.38A@T=25C, Id=0.245A@T=100C) | NXP |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
2N7002E |
![]() |
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=60V, Id=0.38A@T=25C, Id=0.245A@T=100C) | 21 373 | 1.44 | ||
![]() |
![]() |
2N7002E |
![]() |
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=60V, Id=0.38A@T=25C, Id=0.245A@T=100C) | VISHAY |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
2N7002E |
![]() |
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=60V, Id=0.38A@T=25C, Id=0.245A@T=100C) | Vishay/Siliconix |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
2N7002E |
![]() |
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=60V, Id=0.38A@T=25C, Id=0.245A@T=100C) | NXP |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
2N7002E |
![]() |
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=60V, Id=0.38A@T=25C, Id=0.245A@T=100C) | PHILIPS | 179 |
![]() |
|
IRF8788 | INTERNATIONAL RECTIFIER |
![]() |
![]() |
|||||
IRF8788 |
![]() |
![]() |
||||||
LM3421MH | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
|||||
LM3421MH |
![]() |
681.60 | ||||||
LM3421MH | NSC |
![]() |
![]() |
|||||
LM3421MH | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|