IRFH5110TR2
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.4 mOhm @ 37A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 11A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 72nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3152pF @ 25V |
| Power - Max | 3.6W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-PowerVQFN |
| Корпус | PQFN (5x6) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
