IRL3715ZS


Hexfet power mosfets discrete n-channel

IRL3715ZS (заказ)
IRL3715ZS

Технические характеристики IRL3715ZS

FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs11 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C50A
Vgs(th) (Max) @ Id2.55V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs11nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds870pF @ 10V
Power - Max45W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru