IRF7507TR
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 1.7A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.4A, 1.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 260pF @ 15V |
| Power - Max | 1.25W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Корпус | Micro8™ |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4`` | BOURNS |
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4`` | BARONS |
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4`` | BI TECHNOLOGIES |
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4`` |
|
56.00 | ||
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4`` | BOURNS |
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4`` | Bourns Inc |
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4`` | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4`` | BOCHEN | 4 713 | 20.98 | |
| IRF7507PBF | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRF7507PBF | INFINEON |
|
|
|||||
| LQH43MN1R0M03 | MURATA |
|
|
|||||
| LQH43MN1R0M03 | 39 | 36.80 | ||||||
| КСО-5Г-500В-2700 ПФ 10% |
|
|
||||||
| КСО-5Г-500В-3300ПФ |
|
|
