FDD4685
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PowerTrench® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 8.4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8.4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 27nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2380pF @ 20V |
| Power - Max | 3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | TO-252 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1000МКФ 10 (8X14)105°C |
|
|
||||||
| 1000МКФ 16 (12Х31,АКС.) |
|
|
||||||
| 1000МКФ 25 (10X21)105°C |
|
Конденсатор электролитический 1000мкФ, 25В |
|
|
||||
| 47МКФ 35 (5X11)105°C |
|
|
||||||
| LM3489MM/NOPB | NSC |
|
|
|||||
| LM3489MM/NOPB | National Semiconductor |
|
|
|||||
| LM3489MM/NOPB | TEXAS INSTR |
|
|
|||||
| LM3489MM/NOPB | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| LM3489MM/NOPB | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| LM3489MM/NOPB | TEXAS |
|
|
|||||
| LM3489MM/NOPB |
|
|
||||||
| LM3489MM/NOPB | TEXAS INSTRUMENTS | 396 |
|
