IRFS38N20DPBF


Транзистор N-канальный 200V 38A 230W 0,054R

Купить IRFS38N20DPBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRFS38N20DPBF
Версия для печати

Технические характеристики IRFS38N20DPBF

СерияHEXFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs54 mOhm @ 26A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C43A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs91nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2900pF @ 25V
Power - Max3.8W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход