FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 75A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 75A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 290nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 7960pF @ 25V |
Power - Max | 330W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
IRF3805 (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
60CPQ150 | Диод 60A,150В Шоттки x2 | VISHAY | ||||||
60CPQ150 | Диод 60A,150В Шоттки x2 | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
60CPQ150 | Диод 60A,150В Шоттки x2 | 367.16 | ||||||
60CPQ150 | Диод 60A,150В Шоттки x2 | 1 | ||||||
МЛТ - 0.5 ВТ 680 ОМ 5% | 51 024 | 1.36 | ||||||
ОМЛТ -0.5 ВТ 6.2 ОМ 5% |
|