|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
NXP
|
800
|
10.20
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
NXP
|
2 459
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
SHIKUES
|
3 165
|
1.18
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
JSCJ
|
1 042 201
|
1.29
|
|
|
|
BT136-800 |
|
|
|
|
|
|
|
|
BT136-800 |
|
|
|
|
|
|
|
|
BT136-800 |
|
|
UNKNOWN
|
19
|
15.11
|
|
|
|
GA-63-470 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 63 В
|
TREC
|
|
|
|
|
|
GA-63-470 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 63 В
|
|
|
48.04
|
|
|
|
GA-63-470 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 63 В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MCP604-I/SL |
|
Операционный усилитель 4x канальный 2.8MHz, 2.3В/мкс
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
MCP604-I/SL |
|
Операционный усилитель 4x канальный 2.8MHz, 2.3В/мкс
|
|
|
28.72
|
|
|
|
MCP604-I/SL |
|
Операционный усилитель 4x канальный 2.8MHz, 2.3В/мкс
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
MCP604-I/SL |
|
Операционный усилитель 4x канальный 2.8MHz, 2.3В/мкс
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
1 118
|
21.88
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
35.70
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
61 616
|
30.00
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
САРАНСК
|
|
|
|