Версия для печати
Технические характеристики LM2931AT-5.0G

Производитель	ON Semiconductor Corporation
Количество в упаковке	50 шт.
Вес	2.170 г
Тип стабилизатора	LDO
Тип выхода	Fixed
Входное напряжение	5.16…40 В
Выходное напряжение	5В @ 0.1А
Точность	2 %
Падение напряжения (тип.)	160 мВ
Рабочая температура	-40...125 °C
	100 mA, 5 V, Low Dropout Voltage Regulator wi

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	INTERNATIONAL RECTIFIER	4	321.30
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	VISHAY
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W		504	97.92
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	IXYS
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	Vishay/Siliconix
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	STMicroelectronics
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	КИТАЙ
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	INTRESIL
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	INTERSIL
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	IR/VISHAY	12	188.93
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	1
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...			904.00
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	ФИЛИППИНЫ
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	INFINEON
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	IR/VISHAY	13	944.62
		MD2202-D128-X			SanDisk
		НКИ 1.5-4				19 840	2.88
		НКИ 1.5-4			КВТ	272	5.90
		НКИ 1.5-4			KVT	92	3.67
		РПИ-М 1.5-(4.8)				3 296	2.30
		РПИ-М 1.5-(4.8)			КВТ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"