Версия для печати
Технические характеристики MAX11045ETN
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Бит | 16 |
| Частота амплитудно-импульсной модуляции | 250k |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Число преобразователей | 6 |
| Мощность рассеивания (макс.) | 3.81W |
| Напряжение питания источника | Analog and Digital |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 56-WFQFN Exposed Pad |
| Корпус | 56-TQFN-EP (8x8) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
 | IRL3803S
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
Купить |
 | PR30-15DP
* Улучшенная помехозащищенность за счет использования 3-х проводной схемы постоянного тока * Защита от переполюсовки, перенапряжений, перегрузки по то...
Купить |
 | DMN601VK
Dual n-channel enhancement mode field effect transistor
Купить |
