FDMC2610
N-channel ultrafet trench mosfet
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | UniFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 2.2A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 960pF @ 100V |
| Power - Max | 2.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-PowerVDFN |
| Корпус | 8-Power33 (3x3) |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 30/Nov/2007 Mold Compound Change 17/March/2008 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FDMC2610 (MOSFET) N-Channel UltraFET Trench MOSFET
Производитель:
|
