NTLJS3113PT1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
NTLJS3113PT1G (ON SEMICONDUCTOR.)	1 694	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики NTLJS3113PT1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 3A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	15.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1329pF @ 16V
Power - Max	700mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-WDFN Exposed Pad
Корпус	6-WDFN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.