IRF7314Q

Версия для печати

Технические характеристики IRF7314Q

Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	29nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	913pF @ 15V
Power - Max	2.4W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7314Q (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Dual P-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF7314Q datasheet
236.5 Кб