IRF7705
P-канальный -30В -6.0А
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 88nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2774pF @ 25V |
| Power - Max | 1.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Корпус | 8-TSSOP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF7705 (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel
Производитель:
|
