IRLBA1304P
N-канальный 40В 185А
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 110A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 185A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 140nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 7660pF @ 25V |
| Power - Max | 300W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | Super-220™-3 (Straight Leads) |
| Корпус | SUPER-220™ (TO-273AA) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRLBA1304P (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
