ТО132-40-6
|
|
Версия для печати
| Импульсное прямое в открытом сост напряж. / ток VTM/ITM | 1,75/125 |
| Тепловое сопротивление переход-корпус Rth(j-c) | 0,47 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GA-25-100 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 25 В | TREC |
|
|
|||
| GA-25-100 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 25 В |
|
13.76 | ||||
| GA-25-100 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 25 В | КИТАЙ |
|
|
|||
 |
КД105В | 980 | 6.12 | |||||
|
|
КД105В | ТОМИЛИНО | 3 | 2.00 | ||||
|
|
КД105В | СЗТП |
|
|
||||
 |
 |
КТ 315 Д |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ... |
|
|
||
|
|
|
КТ 315 Д |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ... | RUS |
|
|
|
 |
КТ316ДМ |
|
20.84 | |||||
|
|
КТ316ДМ | СВЕТЛАНА | 266 | 20.40 | ||||
 |
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP | 710 | 28.70 | ||
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP | КРЕМНИЙ | 2 646 | 42.06 | |
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP | ТРАНЗИСТОР |
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP | БРЯНСК | 6 211 | 32.00 | |
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP | ИНТЕГРАЛ |
|
|
