IRF8313TRPBF
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5 mOhm @ 9.7A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 760pF @ 15V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 78L12UA (NJM78L12UA) | JRS |
|
|
|||||
| BQ24617RGER | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| BQ24617RGER | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| BQ24617RGER |
|
|
||||||
| BQ24617RGER | 4-7 НЕДЕЛЬ | 544 |
|
|||||
| MC10EP89D | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MMBT3906WT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MMBT3906WT1G | ON SEMICONDUCTOR | 5 720 |
|
|||||
| MMBT3906WT1G | ONS | 10 839 | 4.72 | |||||
| MMBT3906WT1G |
|
|
||||||
| TC4-14+ |
|
|
