IRF4104S
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 75A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 75A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3000pF @ 25V |
| Power - Max | 140W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF4104S (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ОПЛЕТКА ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПРИПОЯ 8PK-031B (З) | PROSKIT |
|
|
|||||
| ОПЛЕТКА ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПРИПОЯ 8PK-031B (З) |
|
180.00 | ||||||
| ОПЛЕТКА ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПРИПОЯ 8PK-031B (З) | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||||
| ОПЛЕТКА ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПРИПОЯ 8PK-031B (З) | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||||
| ОПЛЕТКА ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПРИПОЯ 8PK-031B (З) | PRO'SKIT |
|
|
|||||
| ПАЯЛЬНИК- 220/100 | МАСШТАБ |
|
|
|||||
| ПАЯЛЬНИК- 220/100 |
|
|
