Версия для печати

BFG135A NPN Silicon RF Transistor (For low-distortion broadband output amplifier stages in antenna and telecommunications) Производитель: Siemens Semiconductor Group //www.infineon.com BFG135A datasheet 53.6Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		0805-470 1%		ЧИП — резистор			1.24
		0805-NP0-100PF 5% 50V		Керамический конденсатор 100 пФ 50 В	MURATA
		0805-NP0-100PF 5% 50V		Керамический конденсатор 100 пФ 50 В			1.20
		1206-1.3K 1%		ЧИП — резистор		304	1.44  >500 шт.   0.48
		2SD1555		Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	TOSHIBA	26	124.74
		2SD1555		Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)		1	509.04
		2SD1555		Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	TOS
		2SD1555		Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	UNKNOWN
		2SD1555		Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	КИТАЙ
		2SD1555		Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	NSC
		2SD1555		Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	ISCSEMI
		P2N2222ARL1G		Транзистор NPN (Uce=40V, Ic=600mA, P=625mW, B=100-300@I=10mA, f=300MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		P2N2222ARL1G		Транзистор NPN (Uce=40V, Ic=600mA, P=625mW, B=100-300@I=10mA, f=300MHz, -55 to +150C)	ONS
		P2N2222ARL1G		Транзистор NPN (Uce=40V, Ic=600mA, P=625mW, B=100-300@I=10mA, f=300MHz, -55 to +150C)			18.00

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"