IRF6641TRPBF
|
Версия для печати
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 150µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59.9 mOhm @ 5.5A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 48nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2290pF @ 25V |
| Power - Max | 2.8W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | DirectFET™ Isometric MZ |
| Корпус | DIRECTFET™ MZ |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
