IRF6721STRPBF

Версия для печати

Технические характеристики IRF6721STRPBF

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.3 mOhm @ 14A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	14A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1430pF @ 15V
Power - Max	2.2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DirectFET™ Isometric SQ
Корпус	DIRECTFET™ SQ

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF6721STRPBF (MOSFET)

N-Channel HEXFET Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF6721STRPBF datasheet
268.4 Кб