IRFS4115PBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFS4115PBF	50	517.44

Версия для печати

Технические характеристики IRFS4115PBF

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.1 mOhm @ 62A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	195A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5270pF @ 50V
Power - Max	375W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFS4115PbF (MOSFET)

150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFS4115PBF datasheet
386.7 Кб