IRLR3110ZPBF
Транзистор N-канальный MOSFET
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 38A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 42A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 48nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3980pF @ 25V |
| Power - Max | 140W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRLR3110ZPBF (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1206-X7R-5100PF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 5100 пФ 50 В | KOME |
|
|
|||
| 1206-X7R-5100PF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 5100 пФ 50 В |
|
1.36 | ||||
| A3212EUA-T | ALLEGRO |
|
|
|||||
| A3212EUA-T |
|
205.60 | ||||||
| A3212EUA-T | ALLEGRO |
|
|
|||||
| A3212EUA-T | Allegro Microsystems Inc |
|
|
|||||
| A3212EUA-T | ALLEGRO MICROSYSTEMS INC |
|
|
|||||
| SR-25-1000 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 25 В | TREC |
|
|
|||
| SR-25-1000 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 25 В |
|
23.72 | ||||
| SR-50-4.7 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 50 В | TREC |
|
|
|||
| SR-50-4.7 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 50 В |
|
2.20 |
