2SA1962
Биполярный транзистор Si-P, 230/230V, 17A, 130W, 30MHz
|
2SA1962R - hFE1 = 55 ~ 110 |
Версия для печати
| Корпус | TO-3P(N) |
| Корпус (размер) | 2-16C1A (TO-247 N) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Frequency - Transition | 30MHz |
| Power - Max | 130W |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 1A, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 800mA, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 230V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 15A |
| Transistor Type | PNP |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
2SA1962 (Биполярные PNP транзисторы) Биполярный транзистор Si-P, 230/230V, 15A, 130W, 25MHz
Производитель:
|
