| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BTA16-600BRG |
|
Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус
|
ST MICROELECTRONICS
|
6 949
|
79.06
|
|
|
|
|
BTA16-600BRG |
|
Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус
|
|
|
128.56
|
|
|
|
|
BTA16-600BRG |
|
Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
BTA16-600BRG |
|
Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BTA16-600BRG |
|
Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
25
|
|
|
|
|
|
BTA16-600BRG |
|
Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус
|
YOUTAI
|
16 645
|
27.00
|
|
|
|
|
LM317 (TO220) |
|
Линейный стабилизатор напряжения регулируемый 1.25В, 1.5А
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM317 (TO220) |
|
Линейный стабилизатор напряжения регулируемый 1.25В, 1.5А
|
|
|
|
|
|
|
|
LM3914N-1 |
|
ИМС 10 LED-драйвер дисплея
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM3914N-1 |
|
ИМС 10 LED-драйвер дисплея
|
|
1
|
1 058.40
|
|
|
|
|
LM3914N-1 |
|
ИМС 10 LED-драйвер дисплея
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM3914N-1 |
|
ИМС 10 LED-драйвер дисплея
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
LM3914N-1 |
|
ИМС 10 LED-драйвер дисплея
|
NATIONAL SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
LM3914N-1 |
|
ИМС 10 LED-драйвер дисплея
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM3914N-1 |
|
ИМС 10 LED-драйвер дисплея
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM3914N-1 |
|
ИМС 10 LED-драйвер дисплея
|
NS
|
|
|
|
|
|
|
LM3914N-1 |
|
ИМС 10 LED-драйвер дисплея
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM3914N-1 |
|
ИМС 10 LED-драйвер дисплея
|
1
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
32.13
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
4 389
|
12.41
|
|
|
|
|
TLP504A |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=2,5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=100%5mA
|
TOSHIBA
|
8
|
136.08
|
|
|
|
|
TLP504A |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=2,5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=100%5mA
|
|
|
169.20
|
|
|
|
|
TLP504A |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=2,5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=100%5mA
|
|
|
169.20
|
|
|
|
|
TLP504A |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=2,5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=100%5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
TLP504A |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=2,5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=100%5mA
|
TOS
|
|
|
|
Версия для печати
