PBHV9040Z

Версия для печати

Технические характеристики PBHV9040Z

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	250mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	400V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	200mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 100mA, 10V
Power - Max	1.4W
Frequency - Transition	55MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AO3407A		Alpha & Omega Semiconductor Inc
AO3407A		AOS	224	13.76
AO3407A			8 400	2.80
AO3407A		A&O	1 897	13.07
AO3407A		ALPHA & OMEGA
AO3407A		YOUTAI	18 356	2.23
AO3407A		UMW	744	3.10
NCP1055ST100T3G	Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	ONS	8	28.40
NCP1055ST100T3G	Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	ON SEMICONDUCTOR
NCP1055ST100T3G	Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223		1	196.56
NCP1055ST100T3G	Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	ON SEMICONDUCTO
NCP1055ST100T3G	Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	4-7 НЕДЕЛЬ	732
NCP1400ASN33T1G		ON SEMICONDUCTOR
NCP1400ASN33T1G		ONS
NCP1400ASN33T1G		ON SEMICONDUCTOR
NCP1400ASN33T1G
NCP1400ASN33T1G		ONSEMICONDUCTOR
NCP1400ASN33T1G		4-7 НЕДЕЛЬ	660
PMBT4403		NXP
PMBT4403		PHILIPS
PMBT4403
PMBT4403		NXP
PMBT4403		PHILIPS	121
STRA6259H		SANKEN
STRA6259H		SK
STRA6259H			1	219.24
STRA6259H		4-7 НЕДЕЛЬ	646