![]() |
Транзистор полевой N канальный |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 210mA, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 490mA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 410pF @ 25V |
Power - Max | 1W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Корпус | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
IRFD320 (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
![]() | MAX1480AEPI+ Р В Р’ВВВВнтерфейс Р В Р’В Р СћРІР‚ВВВанных RS-485/422, гальванРСвЂВВВческРцРСвЂВВВР·РѕР»РСвЂВВВрованный, полуРТвЂВВВуплексный, -40..+85Р’В°C РљСѓРїРСвЂВВВть |
![]() | HDA1040V Tft жк Р В Р’В Р РЋР’ВВВРѕРТвЂВВВуль Р РЋР С“ Р В Р’В Р СћРІР‚ВВВР В Р’В Р РЋРІР‚ВВВагональю 10.4 Р В Р’В Р СћРІР‚ВВВСЋР№РСВВВВР В Р’В° РљСѓРїРСвЂВВВть |
|
Корзина
|