2SA1972
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 10mA, 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 20mA, 5V |
| Power - Max | 900mW |
| Frequency - Transition | 35MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-92-3 (Long Body), TO-226 |
| Корпус | LSTM |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
LM1117S-ADJ | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LM1117S-ADJ | HTC KOREA SEMICONDUCTORS |
|
|
||||
|
|
LM1117S-ADJ | NSC |
|
|
||||
|
|
LM1117S-ADJ |
|
73.52 | |||||
|
|
LM1117S-ADJ | HTC KOREA SEMICONDUCTORS | 2 619 |
|
||||
|
|
LM1117S-ADJ | NATIONAL SEMICONDUCTOR | 449 |
|
