5EHDVM-12
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 5ESDVM-12 | DINK |
|
|
|||||
| 5ESDVM-14 | DINK |
|
|
|||||
 |
AT24C02B-10PU-1.8 | ATMEL | 40 | 48.45 | ||||
|
|
AT24C02B-10PU-1.8 |
|
29.60 | |||||
|
|
AT24C02B-10PU-1.8 | ATMEL CORPORATION |
|
|
||||
|
|
AT24C02B-10PU-1.8 | MICRO CHIP |
|
|
||||
| CM100DU-24F (2X100A, 1200BF) |
|
Тиристор IGBT модуль | MITSUBISHI |
|
|
|||
| CM100DU-24F (2X100A, 1200BF) |
|
Тиристор IGBT модуль |
|
8 544.28 | ||||
 |
LF356N |
|
1xOP JFET +-18V LN 12V/us DIP8 | ST MICROELECTRONICS | 26 | 112.20 | ||
|
|
LF356N |
|
1xOP JFET +-18V LN 12V/us DIP8 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
LF356N |
|
1xOP JFET +-18V LN 12V/us DIP8 | 1 | 154.80 | |||
|
|
LF356N |
|
1xOP JFET +-18V LN 12V/us DIP8 | NSC |
|
|
||
|
|
LF356N |
|
1xOP JFET +-18V LN 12V/us DIP8 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
LF356N |
|
1xOP JFET +-18V LN 12V/us DIP8 | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||
|
|
LF356N |
|
1xOP JFET +-18V LN 12V/us DIP8 | TEXAS |
|
|
||
|
|
LF356N |
|
1xOP JFET +-18V LN 12V/us DIP8 | 1 |
|
|
