Версия для печати
Технические характеристики FSCQ1565RT

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Изоляция выхода	Isolated
Частотный диапозон	18 ~ 22kHz
Напряжение входное	9 V ~ 20 V
Напряжение выходное	650V
Мощность (Ватт)	210W
Рабочая температура	25°C ~ 150°C
Корпус (размер)	TO-220-5 Full Pack (Formed Leads)
Корпус	TO-220F-5L (Forming)

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

AC/DC конверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SA1695		Биполярный транзистор PNP (Hi-Fi, 140V, 10A, 100W, 20MHz)	SANKEN
		2SA1695		Биполярный транзистор PNP (Hi-Fi, 140V, 10A, 100W, 20MHz)	SK
		2SA1695		Биполярный транзистор PNP (Hi-Fi, 140V, 10A, 100W, 20MHz)	FAIR
		2SA1695		Биполярный транзистор PNP (Hi-Fi, 140V, 10A, 100W, 20MHz)			188.48
		2SA1695		Биполярный транзистор PNP (Hi-Fi, 140V, 10A, 100W, 20MHz)	ФИЛИППИНЫ
		2SA1695		Биполярный транзистор PNP (Hi-Fi, 140V, 10A, 100W, 20MHz)	ISCSEMI
		AN17831A		УНЧ 2x44W BTL (24V/6 Ом), Gv=40dB	MATSUSHITA
		AN17831A		УНЧ 2x44W BTL (24V/6 Ом), Gv=40dB	MAT
		AN17831A		УНЧ 2x44W BTL (24V/6 Ом), Gv=40dB			240.80
		AN17831A		УНЧ 2x44W BTL (24V/6 Ом), Gv=40dB	PAN
		AN17831A		УНЧ 2x44W BTL (24V/6 Ом), Gv=40dB	Panasonic - SSG
		AN17831A		УНЧ 2x44W BTL (24V/6 Ом), Gv=40dB	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		AN17831A		УНЧ 2x44W BTL (24V/6 Ом), Gv=40dB	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	FAI/QTC
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	ST MICROELECTRONICS	728	61.20
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	ON SEMICONDUCTOR
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	FSC
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	FAIR
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)		1	40.32
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	ON SEMICONDUCTOR
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	STMicroelectronics
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	ФИЛИППИНЫ
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	ST MICROELECTRO
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	HOTTECH	21 372	20.98
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	KLS
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	1
		GBPC3508		Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	FAIR
		GBPC3508		Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		GBPC3508		Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...			937.60
		GBPC3508		Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	FAIRCHILD
		GBPC3508		Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	FAIRCHILD
		GBPC3508		Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		GBPC3508		Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	Diodes Inc
		GBPC3508		Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	Fairchild Semiconductor
		GBPC3508		Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	FSC
		GBPC3508		Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	ONS
		GBPC3508		Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	ONS-FAIR
		SQP700JB-0R47			YAGEO	420	27.59

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"