| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MIC
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
FAIRCHILD
|
2 113
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
2 230
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MOTOROLA
|
1 040
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
DIODES INC.
|
2 063
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
|
284
|
4.80
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
DC COMPONENTS
|
59 165
|
1.59
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MD
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MASTER INSTRUMENT
|
532
|
6.12
|
|
|
|
|
2SC945P |
|
Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ...
|
|
|
12.48
|
|
|
|
|
2SC945P |
|
Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ...
|
KEC
|
|
|
|
|
|
|
2SC945P |
|
Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ...
|
NEC
|
|
|
|
|
|
|
2SC945P |
|
Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
2SC945P |
|
Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ...
|
HGF
|
|
|
|
|
|
|
CC1206KRX7R8BB104 |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 25 В
|
YAGEO
|
16 840
|
1.12
|
|
|
|
|
CC1206KRX7R8BB104 |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 25 В
|
|
|
|
|
|
|
|
К1182ПМ1Р |
|
Фазовый регулятор для плавного вкл./выкл. ламп накаливания, регулировки яркости, ...
|
НТЦ СИТ
|
|
|
|
|
|
|
К1182ПМ1Р |
|
Фазовый регулятор для плавного вкл./выкл. ламп накаливания, регулировки яркости, ...
|
|
224
|
272.80
|
|
|
|
|
К1182ПМ1Р |
|
Фазовый регулятор для плавного вкл./выкл. ламп накаливания, регулировки яркости, ...
|
СИТ
|
|
|
|
|
|
|
К1182ПМ1Р |
|
Фазовый регулятор для плавного вкл./выкл. ламп накаливания, регулировки яркости, ...
|
НТЦ
|
|
|
|
|
|
|
К1182ПМ1Р |
|
Фазовый регулятор для плавного вкл./выкл. ламп накаливания, регулировки яркости, ...
|
БРЯНСК
|
1 876
|
210.00
|
|
|
|
|
К1182ПМ1Р |
|
Фазовый регулятор для плавного вкл./выкл. ламп накаливания, регулировки яркости, ...
|
КРЕМНИЙ
|
118
|
219.30
|
|
|
|
|
КР1195ЕН1А |
|
|
|
|
120.00
|
|
Версия для печати
