| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
23П3Н1 |
|
|
|
|
1 280.00
|
|
|
|
 |
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
|
|
66.84
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MINOS
|
2 406
|
30.57
|
|
|
|
|
VS-150EBU02 |
|
Диод импульсный 200В,150А, 45нс, PowerTab
|
|
|
540.00
|
|
|
|
|
VS-150EBU02 |
|
Диод импульсный 200В,150А, 45нс, PowerTab
|
VISHAY
|
192
|
472.32
|
|
|
|
|
VS-150EBU02 |
|
Диод импульсный 200В,150А, 45нс, PowerTab
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
|
КТ117А |
|
Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА
|
КРИСТАЛЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ117А |
|
Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА
|
|
28
|
70.40
|
|
|
|
|
КТ117А |
|
Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА
|
УЛЬЯНОВСК
|
517
|
340.00
|
|
|
|
|
КТ117А |
|
Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА
|
ИСКРА
|
|
|
|
|
|
|
КТ117А |
|
Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ117А |
|
Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА
|
НПП УРЛЗ
|
|
|
|
|
|
|
КТ848А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 35Вт, 400В, ...
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ848А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 35Вт, 400В, ...
|
ЭЛЬТАВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ848А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 35Вт, 400В, ...
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
Версия для печати
